（原標題：第三代半導體彎道超車，五年后碳化硅市場規模將超160億）

　　記者 徐寧

　　圖片來源：視覺中國

　　“相較于第一、二代半導體，第三代半導體材料處于發展初期。國內企業和國際巨頭基本處于同一起跑線。”

　　在10月26日舉辦的中國松山湖新材料高峰論壇上，河北同光晶體有限公司副總經理王巍表示。

　　王巍指出，中國擁有第三代半導體材料最大的應用市場，且產業鏈齊備，可以實現自主可控，中國第三代半導體有望實現彎道超車。

　　安信證券電子首席分析師賈順鶴也在該會上表示，國產化替代和產業升級雙驅動，第三代半導體將迎來下一個產業浪潮。

　　第一代半導體材料主要是指硅（Si）、鍺（Ge）元素等單質半導體材料；第二代半導體材料主要是指砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）等材料，主要應用于高速功率放大器和LED中。

　　第三代半導體主要是指碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等材料。相比于第一、二代半導體，第三代半導體具有更高的禁帶寬度、高擊穿電壓、電導率和熱導率等特點。它在新能源車、光伏風電、不間斷電源、家電工控等領域有廣闊的應用前景。

　　據山東天岳先進科技股份有限公司市場與銷售副總李宛瞳預計，碳化硅市場將于2025年達到25億美元（約合人民幣164。38億元）的市場規模。

　　賈順鶴表示，新能源汽車行業是碳化硅市場最大的驅動力。到2025年，新能源汽車與充電樁領域的碳化硅市場將達到17。78億美元（約合人民幣116。81億元），約占碳化硅總市場規模的七成。

　　賈順鶴指出，受中美貿易摩擦影響，中國半導體材料的本土產業鏈加快了布局。

　　賈順鶴認為，國產碳化硅與海外廠商的研究進度相差不大，通過產業鏈上廠商的戰略合作，有機會實現超車。

　　據金融界上市公司研究院報告，目前全球碳化硅的產業格局呈現美國、歐洲、日本三足鼎立的態勢。美國的科銳、德國的英飛凌、日本的羅姆這三家公司，占據了全球碳化硅市場約七成份額。

　　北京天科合達半導體股份有限公司常務副總經理彭同華也在會上表示，中國已建立起設備、襯底、外延、設計、制造、封測和應用等較為完整的碳化硅產業鏈，有利于提升國有產品的競爭力。

　　國務院于2015年5月印發的《中國制造2025》，也對第三代半導體做出了目標規劃。

　　《中國制造2025》提出，到2025年，先進半導體材料實現在5G通信、高效能源管理中的國產化率達到50%；在新能源汽車、消費電子中實現規模應用，在通用照明市場滲透率達到80%以上。

　　在上述背景下，國內第三代半導體投資熱度高居不下。據彭同華不完全統計，今年前三季度，中國新簽約的第三代半導體項目共20余項，正式開工12項。

　　粵開證券研報指出，第三代半導體還是“十四五”時期的重要發展方向。據國家新材料產業發展專家咨詢委員會委員介紹，國家2030計劃和“十四五”國家研發計劃中，已明確第三代半導體是重要發展方向。

　　工信部原材料工業司副司長、一級巡視員余薇在上述論壇上表示，“十四五”期間，中國將培育新材料產業發展的長板強項，前瞻布局一批新材料，以激發各類市場主體活力為出發點，構建支撐新材料產業創新發展的生態體系，進一步提升中國新材料產業創新發展的總體水平。

　　中國科學院院士、松山湖材料實驗室理事長王恩哥指出，“十四五”規劃建設已明確提出要重點發展新材料等九大戰略新興產業，未來的五年必將是新材料大變革、大發展的五年。

　　國家開發投資集團有限公司黨組成員、副總經理鐘國東也在會上表示，中國新材料市場空間巨大。國內新材料產值已從2011年的0。8萬億元，增長至2019年的4。5萬億元，年均復合增速達到21。2%。

　　目前A股市場上新材料行業企業已有478家，約占總數的兩成。2017-2018年，新材料產業的投資數量和金額分別為115起和158。71億元，均創下歷史新高。

　　鐘國東預計：“今年國內新材料產值將達到6萬億元，同比增速達30%。”