臺積電采用2nm進步神速或采用繞柵晶體管技術
2021-09-16 01:34:35 來源：
最近，在蘋果公司發(fā)布新一代iPadAir，搭載了臺積電5nm工藝A14處理器后，臺積電又一次成為業(yè)界關注的焦點。據國外媒體報道，臺積電在5nm工藝上大放異彩，下一步將重點發(fā)展3nm及2nm工藝。
臺積電采用2nm進步神速或采用繞柵晶體管技術。
上月，臺積電在技術論壇上發(fā)布了5nm、4nm、3nm工藝的新進展，并表示3nm工藝的研發(fā)正按計劃進行，并將繼續(xù)采用成熟的鰭式場效應晶體管技術。然而最近，比3nm更先進的2nm工藝也逐漸浮出水面。
據產業(yè)鏈消息人士透露，臺積電目前2nm工藝進展神速，甚至超出了預期，2nm將不再使用成熟的場效應晶體管技術(FinFET)，而是使用繞柵晶體管技術(GAA)。
也是在上個月的科技論壇上，臺積電副總裁KevinZhang在預錄錄像帶中說，新的臺灣研發(fā)中心將運作先進的生產線nm制程的技術難題。
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