超高帶寬的動態(tài)隨機存儲器問世
2021-11-03 22:28:11 來源：
科技日報訊（記者邰舉）韓國SK海力士日前宣布，該公司開發(fā)成功HBM3動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM），每秒能夠處理819GB的數據，內置ECC校檢。
該HBM3DRAM將以16GB和24GB兩種容量上市。其中24GB是業(yè)界目前最大容量。在24GB產品中，單品DRAM芯片的高度被磨削到約30&mu；m，使用TSV技術垂直連接12個芯片。
HBM3被稱為第四代HBM，由多個垂直連接的DRAM芯片堆疊而成，能夠創(chuàng)新性地提高內存帶寬。
SK海力士2020年7月在業(yè)界最先開始量產HBM2DRAM。SK海力士強調，將繼續(xù)鞏固高端存儲器市場領導力，提供符合ESG（環(huán)境、社會、公司治理）經營理念的產品，盡最大努力提高客戶價值。
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HBM3被稱為第四代HBM，由多個垂直連接的DRAM芯片堆疊而成，能夠創(chuàng)新性地提高內存帶寬。
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