JEDEC公布HBM3內存標準：最多16層堆疊64GB
2022-01-28 21:23:47 來源：
SK 海力士此前率先推出了 HBM3 高帶寬內存芯片，其采用多層堆疊方式，使用 TSV 硅通孔工藝制造，單片容量可達 24 GB，最高帶寬可達 896 GB/s。
JEDEC 組織今日公布了 HBM3 內存標準，規范了產品的功能、性能以及容量、帶寬等特性。這一代內存相比 HBM2，帶寬增加了一倍。獨立通道的數量從 8 個增加至 16 個，再加上虛擬通道，使得每個芯片支持 32 通道。芯片可以采用 4 層、9 層、12 層堆疊方式，未來可以擴展至 16 層堆疊，實現單片容量 64GB。
JEDEC 規定每層芯片的容量為 8Gb 至 32Gb 可選（1GB~4GB），第一代產品預計為單層 16Gb。為了滿足市面上對于這類內存可靠性、壽命的需求，HBM3 引入了強大的片上 ECC 糾錯功能，同時具有實時報告錯誤的能力。
我們了解到，供電方方面，HBM3 芯片采用 0。4V、1。1V 兩檔工作電壓，以便提高能效。
美光公司高管表示，HBM3 將使得計算機達到更高的性能上限，同時能耗會有所降低。SK 海力士 DRAM 產品規劃副總裁表示，隨著高性能計算機和 AI 應用的不斷進步，市場上對于更高性能、更高能效的要求比以往更甚。隨著 HBM3 標準的發布，SK 海力士很高興能夠為客戶帶來這類產品，同時增強的 ECC 方案可以提高穩定性。SK 海力士為成為 JEDEC 的一員感到十分驕傲，并很高興能夠與行業伙伴一起，建立一個強大的 HBM 生態體系。
原標題：JEDEC 公布 HBM3 內存標準：帶寬最高 819 GB/s，最多 16 層堆疊 64GB
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