通過大量的拆解可以發現，東芝閃存有TSOP(Thin Small Outline Package)和BGA(Ball Grid Array Package)兩種封裝形式。

　　TSOP封裝的閃存，引腳位于顆粒兩側，共有 48 個引腳(下圖右上)。

　　BGA封裝的閃存，使用球柵陣列觸點通信，觸電位于芯片底部，數量有 132 個或更多。

　　240GB版本的東芝TR200 內使用了 8 顆TSOP封裝的閃存顆粒，每個顆粒內含一個256Gb容量的東芝BiCS閃存晶粒。

　　新版TR200 480G內只用了兩顆BGA封裝的閃存顆粒，每個顆粒內含 4 個512Gb容量的東芝BiCS3 閃存晶粒，在容量翻倍的同時，使用的閃存顆粒數量也下降到原有的四分之一。這就是高容閃存和疊Die封裝的優勢。

　　BGA封裝的優勢之一：體積小容量大

　　作為出現更晚的封裝形態，BGA封裝有很多先天優勢，其中體積小、容量大是最顯著的特征。通常在大容量固態硬盤中我們能看到的都是BGA封裝的閃存顆粒。

　　BGA封裝的優勢之二：可支持高頻閃存接口

　　BGA封裝可以做到比TSOP封裝更低的串擾，適合高端NVMe固態硬盤使用。比如東芝XG6 上首度應用的BiCS496 層堆疊3D閃存，就使用了Toggle 3。 0 標準，閃存接口帶寬達到800MT/s。當然這個優勢在普通SATA固態硬盤上表現的并不明顯。

　　BGA封裝的優勢之三：可支持多個閃存通道

　　每個TSOP封裝的閃存顆粒最多可以支持一個閃存通道，而BGA封裝可以支持 2 個甚至 4 個閃存通道。對于空間特別緊湊的M。 2 固態硬盤來說，少量閃存顆粒能節省PCB面積，同時還能保障性能不受影響。

　　BGA封裝成本相對更高，但是封裝尺寸能相應縮小，更適合用在寸土寸金的M。 2 固態硬盤上。結合疊Die封裝和TSV(Through Silicon Via)硅通孔技術，東芝能夠將1TB容量(512Gb x 16)的3D TLC閃存晶粒封裝至一個閃存顆粒當中。

　　由于BGA封裝能夠做到更高的存儲密度，所以被廣泛應用在M。 2 接口的固態硬盤中，而SATA接口的固態硬盤空間寬裕，同時受到SATA3。 0 接口的限制，使用TSOP封裝形式的閃存同樣能夠滿足需求。不管采用何種封裝形態，內含的閃存技術都是一樣的，品質上亦沒有分別。